VMOS-field-effect transistor

Auch wenn sich der Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor (MOSFET) innerhalb der Halbleiterelektronik sehr großer Beliebtheit erfreut, so entwickelt sich diese wichtige Technologiebranche doch stetig und schnell weiter. So kommt es zu vielen Neuentwicklungen und technischen Errungenschaften.

Die weitaus meisten MOSFET-Bauvarianten verwenden eine Halbleiterstruktur, deren elektrotechnisches Grundprinzip auf der Planartechnik basiert. Doch abseits der recht dominant verbreiteten planaren Transistoren finden sich auch spezielle MOSFETs, die einen veränderten und individuellen Halbleiteraufbau aufweisen.

 

Ein Beispiel für diese besonderen Feldeffekttransistoren (FET) stellt der VMOS-field-effect transistor dar. Anders als die überwiegende Majorität der MOSFETs, nutzt der VMOS-field-effect transistor nicht die elektrischen Eigenschaften der Planartechnik für seine Funktion als Bauelement. Folglich ist der VMOS-field-effect transistor ein sogenannter nicht-planarer Feldeffekttransistor. Aktuell existieren vom VMOS-field-effect transistor sowohl Typen mit vertikalem als auch mit lateralem Ladungsfluss. Allerdings sind VMOS-FETs (Kurzform) mit vertikal fließendem Strom deutlich häufiger anzutreffen.

Namenhafte Hersteller:
ROHM Semiconductor
Central Semiconductor

 


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Bekannte Hersteller:

Central Semiconductor
Diotec Semiconductor
Electel
Europe Chemi-Con
Fischer Elektronik
Fischer & Tausche Kondensatoren GmbH
GSN Greatecs
Hartu
Hongfa
KEMET Corporation
Kingbright Electronic
LAPIS Semiconductor
Nippon Chemi-Con
Omron K. K.
Piher Sensors and Controls
Powersem
Powertip Technology
ROHM Semiconductor
United Chemi-Con
Weidmüller