Z-Diode

Die Bezeichnung Z-Diode wird umgangssprachlich für verschiedene Typen der Zener-Diode und Avalanche-Diode verwendet. Diese Dioden zeichnen sich durch ihr besonderes Verhalten beim Betrieb in Sperrrichtung aus.

Während normale Silizium- oder Germanium-Dioden bei höherer Sperrspannung zerstört werden, halten Z-Dioden diese aus und werden plötzlich niederohmig. Ein schlagartig ansteigender Sperrstrom ist zu erkennen. Dieses Verhalten der Z-Diode begründet sich auf den sogenannten „Zener-Effekt“ (negativer Temperaturkoeffizient), welcher nach dem amerikanischen Physiker Clarence Melvin Zener benannt ist. Wenn die angelegte elektrische Spannung weiter zunimmt und größer als ca. 5 Volt wird, nehmen die beim Zener-Effekt freigesetzten Elektronen so stark an Geschwindigkeit zu, dass es an der Z-Diode zu einem „Lawinendurchbruch“ (positiver Temperaturkoeffizient) kommt.




 

 

Aufgrund dieser beiden unterschiedlichen physikalischen Effekte hat sich in der Wissenschaft, initiiert durch Clarence Zener, eine genauere Unterscheidung innerhalb der Familie der Z-Diode durchgesetzt. Fortan wurde für Dioden, die eine Durchbruchspannung von bis zu 5 Volt besaßen, der Begriff Zener-Diode geführt. Alle Dioden, die erst ab einer Sperrspannung von höher als 6,5 Volt „durchbrachen“, wurden als Avalanche-Dioden bezeichnet. Allerdings hat sich im alltäglichen Sprachgebrauch weiterhin der Name Z-Diode gehalten, der quasi übergreifend für beide Diodenarten steht.
In Deutschland werden elektronische Bauteile nach DIN EN 60617 (Grafische Symbole für Schaltpläne) und deren Kenn-Nummer nach IEC 60617 dargestellt. Das ermöglicht die Erstellung von komplexen Schaltplänen. Das hier abgebildete Symbol bezeichnet eine Z-Diode

Das Schaltzeichen nach DIN EN 60617 für eine Z-Diode.

Namenhafte Hersteller:
ROHM Semiconductor
Central Semiconductor
Diotec Semiconductor

 


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